半导体材料的电子迁移率高吗?

半导体材料的电子迁移率普遍较高，比如硅、锗和砷化镓的数值都很突出。硅的迁移率约为1400平方厘米每伏秒，锗有3900，砷化镓更是高达8500。这些数值让半导体在电子设备中表现优异，能快速传递信号，提升设备性能。

不同半导体材料的迁移率差异很大，碳化硅和氮化镓也属于高迁移率类型。碳化硅的迁移率约1000，氮化镓达到2000以上。这些材料常用于高频器件，如5G基站和快充设备。高迁移率让半导体在高效能领域越来越重要，推动技术不断进步。