多晶硅电阻率一般多少?

多晶硅电阻率通常在0.001到100欧姆·米之间，具体数值受掺杂浓度和工艺影响。高纯度多晶硅电阻率较低，适合半导体器件；掺杂后电阻率可调，适用于太阳能电池和集成电路。实际应用中，电阻率范围会根据需求精确控制，确保材料性能稳定。

工业生产中，多晶硅电阻率多在0.01到10欧姆·米区间。电子级多晶硅电阻率更低，约0.001欧姆·米；光伏级稍高，约1欧姆·米。不同用途对电阻率要求不同，芯片制造需极低值，而某些传感器则需较高值。材料纯度和温度变化也会显著影响电阻率大小。